日前，從西安理工大學(xué)傳來喜訊，該校承擔(dān)的國家科技重大專項(xiàng)極大規(guī)模集成電路用單晶爐的關(guān)鍵技術(shù)，在大直徑、高品質(zhì)電子級硅單晶設(shè)備的研制和技術(shù)轉(zhuǎn)化方面取得了重大突破，為我省在大尺寸晶體生長設(shè)備制造領(lǐng)域占領(lǐng)了技術(shù)制高點(diǎn)。

　　自1961年西安理工大學(xué)研制出我國第一臺單晶爐，到目前已開發(fā)出12大系列、60余個型號的3″-8″晶體生長設(shè)備，2007年自主研發(fā)的國內(nèi)首臺TDR-150型單晶爐拉制出國內(nèi)第一根12英寸無位錯硅單晶。TDR100型硅單晶爐通過美國應(yīng)用材料公司CE認(rèn)證并已銷往芬蘭，多芯硅芯爐已定型生產(chǎn)，目前已占據(jù)國內(nèi)多晶硅行業(yè)80%的市場份額。

　　西安理工大學(xué)國家科技重大專項(xiàng)攻關(guān)團(tuán)隊(duì)，凝聚了自動控制、電子信息、檢測及傳感、機(jī)械、材料等多學(xué)科交叉的科研人才，自2009年1月實(shí)施國家科技重大專項(xiàng)“300mm硅單晶直拉生長裝備的開發(fā)”項(xiàng)目以來，項(xiàng)目課題組在國外技術(shù)封鎖，國內(nèi)相關(guān)技術(shù)匱乏的情況下，凝聚斗志，潛心攻關(guān)，歷經(jīng)20個月，研發(fā)團(tuán)隊(duì)從自主設(shè)計、單元測試、整機(jī)制造、系統(tǒng)調(diào)試和拉晶實(shí)驗(yàn)，2010年9月5日終于在自主研制的300mm硅單晶爐中成功拉制出300mm無位錯硅單晶棒。

　　隨著國家科技重大專項(xiàng)的實(shí)施，創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)在硅材料應(yīng)用工程領(lǐng)域取得了一系列突破性成果，主要有：研制成功國內(nèi)第一臺電子級單晶爐用大型勾型磁場，打破了國外公司對大尺寸磁場的技術(shù)和產(chǎn)品壟斷;提出了基于功率調(diào)節(jié)技術(shù)的新型直徑控制新方法，提高了晶體品質(zhì);發(fā)明了高精度激光液面測距方法，實(shí)現(xiàn)熔硅液面的精確控制;研制成功高效率、高功率因數(shù)的新型“綠色”電源，降低能源消耗。

　　截至目前，結(jié)合承擔(dān)國家科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目，該創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)掌握了一批電子級單晶爐研制的關(guān)鍵共性技術(shù)，已申請發(fā)明專利12件，國際發(fā)明專利2件，超額完成項(xiàng)目合同目標(biāo)任務(wù)。該項(xiàng)目所申請的專利涵蓋從機(jī)械設(shè)計、制造工藝、控制技術(shù)、工藝技術(shù)等全過程，因此單晶爐整機(jī)具有自主知識產(chǎn)權(quán)，特別是大型勾型磁場和激光液面測距技術(shù)申請為國際專利，表明項(xiàng)目所具備的技術(shù)已進(jìn)入國際領(lǐng)先水平。同時，該創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)正在起草一部行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《MCZ系列直拉法單晶爐》。

　　為了使國家科技重大專項(xiàng)在我省開花結(jié)果，今年5月6日省政府副省長吳登昌專程到西安理工大學(xué)召開省政府第52次專題會議，會議決定支持西安理工大學(xué)國家科技重大專項(xiàng)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，更加鼓舞了研發(fā)人員的士氣。目前，西安理工大學(xué)正按照省政府第52次專題會議精神，與陜西電子信息集團(tuán)進(jìn)行全面合作，通過將國家科技重大專項(xiàng)成果的轉(zhuǎn)化，引領(lǐng)陜西新興產(chǎn)業(yè)的裝備制造業(yè)向高端化發(fā)展，迅速提升我省乃至全國的單晶爐技術(shù)水平，保持技術(shù)領(lǐng)先地位，打破國外大公司對高端電子級單晶爐的技術(shù)壟斷。