7月10日，深圳技術(shù)大學(xué)集成電路與光電芯片學(xué)院正式揭牌成立，2022年光電集成深圳論壇順利舉行。各方嘉賓學(xué)者齊聚一堂，共同見證，聚焦集成電路，共謀未來發(fā)展。

　　中國科學(xué)院院士祝世寧，美國國家工程院院士常瑞華，中國科學(xué)院院士俞大鵬，中國科學(xué)院院士鄭泉水，坪山區(qū)委副書記、區(qū)長趙嘉，坪山區(qū)委常委、副區(qū)長葉青云，深圳高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)促進中心主任王輝，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所所長譚平恒，深圳技術(shù)大學(xué)校長阮雙琛，各高校、企業(yè)代表及深圳技術(shù)大學(xué)師生代表參加活動。揭牌儀式由學(xué)校副主任徐剛主持。

　　深圳技術(shù)大學(xué)校長阮雙琛向到場嘉賓表示歡迎與感謝。他在致辭中指出，深圳技術(shù)大學(xué)興辦粵港澳大灣區(qū)第一所集成電路與光電芯片學(xué)院，聘請世界納米激光及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍人之一寧存政教授擔任院長，致力于培養(yǎng)灣區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展急需的半導(dǎo)體和集成光電高端人才。作為坪山區(qū)唯一一所本科院校，深圳技術(shù)大學(xué)愿意為坪山區(qū)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)貢獻力量，助力坪山建設(shè)成為全國集成電路產(chǎn)業(yè)集聚地、人才匯聚地、創(chuàng)新策源地。

　　他表示，當前全球正迎來新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革，突破“卡脖子”技術(shù)，把科技的命脈牢牢掌握在自己手中，成為每一位科技工作者的奮斗目標。打贏關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅戰(zhàn)，高校也要勇挑重擔，這是學(xué)校成立集成電路與光電芯片學(xué)院的初衷。希望學(xué)院通過校企合作、產(chǎn)教融合等方式，建立一套培養(yǎng)高等技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者、未來技術(shù)原創(chuàng)者和技能卓越踐行者的全新模式，努力打造全國集成電路領(lǐng)域的亮眼名片，以最優(yōu)異的成績服務(wù)深圳雙區(qū)建設(shè)。

　　坪山區(qū)委副書記、區(qū)長趙嘉代表區(qū)委區(qū)政府對集成電路與光電芯片學(xué)院的揭牌、2022年光電集成深圳論壇的召開表示祝賀。她指出，作為深圳市重要的集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，坪山區(qū)聚集了多家國家專精特新“小巨人”企業(yè)，也初步建立了材料、設(shè)備、設(shè)計、制造、封裝測試及下游應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，集成電路產(chǎn)業(yè)芯片制造行業(yè)的產(chǎn)值占全市比重超過60%。

　　她表示，希望集成電路與光電芯片學(xué)院的成立，能夠加速學(xué)校與坪山區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的深度融合，解決產(chǎn)業(yè)人才短缺問題，加快補齊科研短板，為全市乃至粵港澳大灣區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量集聚發(fā)展提供重要的人才和智力支撐。今后，坪山區(qū)委區(qū)政府將一如既往地支持深圳技術(shù)大學(xué)高質(zhì)量發(fā)展，全力做好各項保障工作。

　　學(xué)院揭牌儀式后，2022年光電集成深圳論壇隨即舉行。論壇主題覆蓋光電集成信息技術(shù)、芯片開發(fā)、人工智能、新能源和新材料等科技領(lǐng)域，探討前沿科技攻關(guān)、分享科技成果、開展務(wù)實合作。為培養(yǎng)高層次創(chuàng)新型應(yīng)用技術(shù)人才，推動前沿科技研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用等搭建交流平臺，注入新思路、解決新難題、指引新方向。

　　寧存政從建立芯片生態(tài)系統(tǒng)、光電芯片的地位及作用、學(xué)院發(fā)展規(guī)劃等方面介紹了國內(nèi)半導(dǎo)體光電芯片發(fā)展狀況，深圳技術(shù)大學(xué)集成電路與光電芯片學(xué)院成立的背景、目標及發(fā)展規(guī)劃。他表示，學(xué)院面向集成電路和集成光電子領(lǐng)域的科技前沿和產(chǎn)業(yè)需求，以最終促成光電融合集成為目標，以解決當今和未來光電融合面臨的材料、物理原理、器件設(shè)計和加工工藝等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵技術(shù)和基礎(chǔ)工程問題為使命，將在集成電路和光電芯片方面打造一個集“微納加工平臺”“光電子集成工程中心”“集成電路與光電學(xué)院”為一體的電-光融合生態(tài)系統(tǒng)，為粵港澳大灣區(qū)培養(yǎng)集成電路和光電芯片方面的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者、前沿科技的創(chuàng)新者、未來產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)業(yè)者、理論聯(lián)系實際的踐行者。

　　垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)在晶圓規(guī)模制造及測試、高效率光耦合、低功耗、低制造成本及可以制造大陣列等方面有明顯優(yōu)勢。VCSEL應(yīng)用于3D傳感可以從散斑的位移獲得深度信息，具有很好的應(yīng)用前景。傳統(tǒng)的DBR-VCSEL技術(shù)面臨著外延厚的挑戰(zhàn)，而多種基于薄膜的HCG集成光學(xué)器件具有反射、共振、轉(zhuǎn)彎、控制光學(xué)相位、衍射光學(xué)等多種優(yōu)勢。

　　俞大鵬認為，第四次工業(yè)革命是算力決定一切。量子通信、量子計算等相關(guān)量子科技已經(jīng)成為國際強國間競爭的焦點，也成為了美國對我們進行全面技術(shù)封鎖、設(shè)備禁運和人員來往阻斷的高度限制領(lǐng)域，我國量子等高科技領(lǐng)域真正進入了“無人區(qū)”。報告對國內(nèi)外科技尤其是量子科技的發(fā)展現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)進行了全面的分析，闡述了深圳在量子科技領(lǐng)域的研究基礎(chǔ)和優(yōu)勢，提出一些政策建議。

　　鄭泉水首先介紹了超滑技術(shù)的誕生與關(guān)鍵進展、結(jié)構(gòu)超滑技術(shù)指標的具體參數(shù)及其在航空航天、高端制造等領(lǐng)域的應(yīng)用?；诮Y(jié)構(gòu)超滑技術(shù)的超級微發(fā)電機能夠在不同頻率的外界激勵下高效地將能量轉(zhuǎn)化為尺寸微小、功率密度極高的電能。超滑結(jié)構(gòu)與光電集成可以應(yīng)用在MEMS微鏡、超滑鏡、激光、光柵及光開關(guān)、光驅(qū)動等方面。

　　黃衛(wèi)平在線上做了報告。他介紹了電子與光波的發(fā)展歷史。微電子集成包括技術(shù)能力、系統(tǒng)性能和經(jīng)濟效益三方面。光電子集成存在的問題在于帶寬的擴容、集成的提高和性能的改善，硅基升級、應(yīng)用擴展、光電融合是發(fā)展趨勢。目前中國信息光電子產(chǎn)業(yè)面臨“卡脖子”短板和求發(fā)展瓶頸的雙重挑戰(zhàn)，解決的策略是需要發(fā)揮市場機制與政府政策雙輪驅(qū)動的獨特優(yōu)勢，盡快彌補差距，實現(xiàn)跨越。

　　祝世寧從材料領(lǐng)域介紹了鈮酸鋰薄膜對光子學(xué)的影響。他首先闡述了鈮酸鋰晶體及主要性能、鈮酸鋰晶體中周期疇的制備及應(yīng)用、鈮酸鋰晶體的摻雜工程與應(yīng)用。薄膜鈮酸鋰具有低損耗、易調(diào)控和非線性的優(yōu)勢，可以應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路(微電子芯片)以及光電混合芯片。芯片級薄膜鈮酸鋰目前應(yīng)用中存在的挑戰(zhàn)是缺陷工程的監(jiān)測，加工工藝刻蝕、拋光等加工工藝困難。展望10年后鈮酸鋰將有可能取代硅基作為高性能數(shù)據(jù)傳輸芯片的材料。

　　譚平恒從“一個工程中心”建設(shè)，“兩個國重”重組工作全面介紹了中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所作為國家隊科研單位的定位、主攻方向和開展的新興前沿方向的研究情況。光電子器件國家工程中心面向我國對光電子領(lǐng)域工程化能力的重大需求，開發(fā)高性能器件自主化核心技術(shù)并推動新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。光電子材料與器件全國重點實驗室的重組，圍繞光電子材料與器件向易質(zhì)異構(gòu)集成、多維光電調(diào)控與多功能一體化發(fā)展趨勢，促進了產(chǎn)學(xué)研融通與深度合作。(建麗 宋惠雪)